英特尔10nm工艺比三星台积电7nm还好 网友：难怪难

最近一段时间英特尔承受了很多争议乃至非议，这个即将满五十周岁的老牌半导体公司似乎要输给三星、台积电这些后辈了，要知道台积电当初做代工也是得到了英特尔悉心指导的，没想到现在被台积电、三星各种领先，特别是10nm工艺节点被这两家甩开。

普通人之所以有这样的认识，其实根源在于半导体知识太复杂，英特尔在半导体制造领域依然具有极强的实力，他们的10nm工艺晶体管密度要比三星、台积电的7nm工艺还要好，就是难产了点。

在许多人的认知里，三星、台积电超越英特尔很大程度上是都被XXnm的数字迷惑了，表面上看7nm比10nm先进，10nm比14nm先进，但背后代表的半导体技术太复杂，早就不是线宽所能代表的了。三星、台积电在16/14nm FinFET节点上第一次超越英特尔，尝到了营销上的甜头，所以后面的工艺命名有很多营销成分，比如16nm优化下就成了12nm工艺，14nm优化下成了12nm LP工艺，相比之下英特尔只敢叫14nm、14nm+、14nm++等等，要老实很多。

当老实人的代价就是会吃亏，即便是在10nm节点，三星、台积电后面还会衍生出8nm之类的工艺，让人看的眼花撩乱，摸不清来龙去脉。对于这个问题，英特尔早前也表示过他们的无奈，也反击过这种衡量工艺的水平，推出了全新的公式：

在这个公式中，英特尔认为衡量半导体工艺的重要指标是晶体管密度，上面具体算的过程大家就不要管了，反正是行业内认识才会关注的。

在这样的形势下，英特尔对比其他家公司工艺时就有了优势了，去年的制造日会议上，英特尔就对比过其他家公司的工艺情况：

14nm工艺的情况

先说14nm工艺，别看英特尔直到现在都在缝缝补补14nm工艺，但是与其他家对比优势明显，晶体管密度是20nm工艺的134%，而其他两家只不过说104%、109%。